5er-Pack IRF540N MOSFET Transistor 100V 33A 130W TO-220

Name: 5er-Pack IRF540N MOSFET Transistor 100V 33A 130W TO-220
Brand: satkit
SKU: 1C090203
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Das 5er-Pack IRF540N MOSFET Transistor 100V 33A 130W TO220 ist ein Set aus N-Kanal-MOSFET-Transistoren für elektronische Anwendungen, die hohe Effizienz sowie eine hohe Strom- und Spannungsbelastbarkeit erfordern.

Hauptmerkmale:

Kategorie: N-Channel MOSFET
Maximale Spannung: 100V
Maximaler Strom: 33A
Innenwiderstand (Rds(on)): 44mΩ
Gate-Spannung: 20V
Schaltzeit: 35ns (Anstieg und Abfall)
Leistungsaufnahme: 130W
Gehäuse: TO-220
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 175°C

Typische Anwendungen:

Steuerung von Elektromotoren in DIY- und professionellen Projekten.
Leistungsverstärker und Schaltnetzteile.
Elektronische Schalter für Lasten mit hohem Strombedarf.
Anwendungen in Robotik und Embedded-Systemen, die hohe Effizienz erfordern.

Kompatibilität: Dieser Transistor ist mit Schaltungen kompatibel, die innerhalb seiner elektrischen Spezifikationen betrieben werden, insbesondere in Projekten, die einen N-Kanal-MOSFET mit hoher Strom- und Spannungsbelastbarkeit benötigen.

Dieses 5er-Pack bietet Ersatzteile oder ermöglicht den gleichzeitigen Aufbau mehrerer Schaltungen und sorgt dank des TO-220-Gehäuses, das die Wärmeableitung erleichtert, für eine zuverlässige und langlebige Leistung.

5er-Pack IRF540N N-Kanal-MOSFET-Transistoren
Maximale Spannung von 100V für anspruchsvolle Anwendungen
Maximaler Strom von 33A für hohe Lasten
Niedriger Innenwiderstand von 44mΩ für hohe Effizienz
Leistungsaufnahme von 130W für den Dauerbetrieb
TO-220-Gehäuse für bessere Wärmeableitung
Schnelle Schaltzeit von 35ns
Betriebstemperatur von -55°C bis 175°C

Kundenfragen & Antworten

Welche Vorsichtsmaßnahmen bei der Installation sind zu beachten, um Schäden durch Überhitzung oder Überstrom beim IRF540N zu vermeiden?

Um Schäden zu vermeiden, ist eine ausreichende Wärmeableitung sicherzustellen, ggf. mit einem geeigneten Kühlkörper, wenn die Verlustleistung 2 W überschreitet. Außerdem sind die Grenzwerte einzuhalten: max. 100 V Drain-Source, 33 A Dauerstrom und 130 W Leistung. Zusätzlich sind Spannungsspitzen am Gate über 20 V zu vermeiden und vor dem Einbau ESD-Schutzmaßnahmen zu treffen.

Mit welchen Steuersignalen und Logikschaltungen ist das Gate des IRF540N kompatibel?

Der IRF540N benötigt typischerweise eine Gate-Spannung von mindestens 10 V für eine effiziente Leitfähigkeit, kann jedoch bereits ab 2–4 V (Vgs(th)) ansatzweise schalten. Er arbeitet gut mit MOSFET-Treibern oder Logikschaltungen mit Anpassungsstufe; ein direkter Anschluss an 3,3-V-Mikrocontroller ohne Zwischentreiber wird nicht empfohlen.

Welche Schutzmaßnahmen oder Sicherheitsnormen sollte die Installation dieser MOSFETs in Industriesystemen erfüllen?

In Industriesystemen sollte die Installation Schutz gegen Überlasten (Sicherungen oder Leitungsschutzschalter), Transientenschutz (Freilaufdioden oder Varistoren) sowie die Einhaltung von Normen wie IEC 60950 (elektrische Sicherheit) und ESD-Schutz vorsehen, um einen sicheren Betrieb und die Haltbarkeit des Bauteils zu gewährleisten.

Wofür wird der IRF540N MOSFET-Transistor verwendet?

Der IRF540N ist ein N-Kanal-MOSFET-Transistor zur Steuerung von elektrischen Lasten mit hoher Strom- und Spannungsbelastung in elektronischen Schaltungen, wie Motoren, Verstärkern und Netzteilen.

Wie viele Stück sind in diesem Pack enthalten?

Dieses Pack enthält 5 Stück des IRF540N MOSFET-Transistors.

Welches Gehäuse hat der IRF540N?

Der IRF540N wird im TO-220-Gehäuse geliefert, das die Wärmeableitung und die Montage in Schaltungen erleichtert.

Welche maximale Spannung und welchen maximalen Strom verträgt dieser Transistor?

Der Transistor verträgt eine maximale Spannung von 100V und einen maximalen Strom von 33A.

Ist er für Projekte mit hoher Leistungsaufnahme geeignet?

Ja, dieser Transistor hat eine maximale Leistungsaufnahme von 130W und ist ideal für Anwendungen mit hoher Leistungsanforderung.